Блокинг-генератор по принципу построения представляет собой однокаскадный транзисторный усилитель с глубокой положительной обратной связью, осуществляемой импульсным трансформатором. Блокинг-генераторы применяют в качестве мощных источников коротких импульсов (длительностью от сотых долей до десятков микросекунд), имеющих большую скважность (больше 10) и высокую крутизну фронтов. На основе блокинг-генераторов часто выполняют формирователи управляющих импульсов в системах цифрового действия, они находят применение в схемах формирования пилообразного тока в устройствах электромагнитной развертки электронного луча по экрану электронно-лучевых приборов. Блокинг-генераторы могут работать в различных режимах: ждущем, автоколебательном, режимах синхронизации и деления частоты.

В качестве сердечника импульсного трансформатора используют ненасыщающиеся сердечники из магнитомягкого материала, т.е. сердечники с прямоугольной петлей гистерезиса. Наличие трансформатора в схеме блокинг-генератора позволяет осуществить электрическую развязку цепи нагрузки и источника питания, легко обеспечить согласование с нагрузкой обеспечить одновременное получение нескольких импульсов одинаковой или разной полярности и разной амплитуды.

Рис.1.31. Принципиальная (а) и эквивалентная (б) схемы блокинг-генератора

Рассмотрим работу ждущего блокинг-генератора на примере схемы, приведенной на рис.1.31,а. Она выполнена на транзисторе VT, включенном по схеме с общим эммитером, и трансформаторе T. Цепь положительной обратной связи осуществлена с помощью вторичной обмотки W б трансформатора, конденсатора C и резистора R. Резистор R б создает контур разряда конденсатора, когда транзистор закрыт. Выходной сигнал может быть снят либо непосредственно с коллектора транзистора, либо с дополнительной нагрузочной обмотки W н трансформатора; цепь из диода VD 1 и резистора R 1 защищает транзистор от перенапряжений.

B = ·H, (1.62)

где  - магнитная проницаемость материала сердечника, являющаяся, в свою очередь, функцией напряженности  = f(H).

Для упрощения рассмотрения в дальнейшем будем считать =const. Намагничивающий ток i  создает магнитный поток, потокосцепление которого с обмоткой коллекторной цепи W к определяется из уравнения

Y = L к ·i  , (1.63)

где L к - индуктивность обмотки W к; i  =(i к -i б "-i н ") - намагничивающий ток; i б "=n б ·i б - ток базовой обмотки W б, приведенный к первичной обмотке W к;n б =W б /W к; i н "=i н ·n н - ток нагрузки обмотки W н, приведенный к первичной обмотке W к; n н =W н /W к.

Работа схемы. В исходном состоянии транзистор заперт отрицательным напряжением смещения Е б, приложенным к цепи база-эмиттер транзистора. Блокинг-генератор находится в состоянии устойчивого равновесия, из которого он может быть выведен подачей в цепь базы транзистора запускающего импульса положительной полярности. При отпирании транзистора начинает действовать положительная обратная связь, т.е. возникает регенеративный процесс лавинообразного роста коллекторного тока i к и базового тока i б. В результате этого процесса транзистор входит в режим насыщения. Начинается процесс формирования переднего фронта импульса, по окончании которого формируется вершина импульса.

В этой стадии практически все напряжение питания Е к приложено к обмотке W к трансформатора и ток этой обмотки будет непрерывно увеличиваться (dY/dt=const при L к =const). Следовательно, ток коллектора будет непрерывно нарастать. В то же время ток базы непрерывно уменьшается за счет зарядки конденсатора C через эмиттерный переход транзистора, причем напряжение обмотки W б в этот промежуток времени можно считать постоянным.

В конечном итоге в результате увеличения тока коллектора и уменьшения тока базы транзистор из режима насыщения выходит в активный режим и действие положительной обратной связи восстанавливается. Возникает регенеративный процесс обратного опрокидывания, в течении которого ток коллектора падает до нуля, а напряжение на коллекторе становится равным Е к. На этом цикл кончается и блокинг-генератор возвращается в исходное состояние, из которого он может быть выведен только следующим запускающим импульсом.

Таким образом за рабочий цикл блокинг-генератора формируется короткий импульс довольно большой мощности.

Исходное состояние. В ждущем режиме в исходном состоянии транзистор заперт отрицательным напряжением -Е б, в цепи базы протекает ток I б (0) = -I ко. Конденсатор С заряжен до напряжения

U c (0) = -E б + I ко ·R б, (1.64)

Напряжение на всех трех обмотках трансформатора равно нулю, а в сердечнике трансформатора имеется небольшой постоянный магнитный поток, обусловленный намагничивающей силой

F 1 = I ко ·W к, (1.65)

Запуск и опрокидывание. В момент времени t 1 (рис.1.32) поступает запускающий импульс e зап положительной полярности, который подается в цепь базы транзистора. Транзистор отпирается, что приводит в действие цепь положительной ОС. Ток коллектора растет, вызывая рост базового тока i б. Так как емкость конденсатора C достаточно велика, напряжение на ней практически не меняется в течении всего процесса регенерации. Можно считать, что ток заряда конденсатора C равен i б, т.к. сопротивление резистора R много больше входного сопротивления открытого транзистора.

Рис.1.32. Временные диаграммы токов и напряжений блокинг-генератора

Развитие регенеративного процесса отпирания транзистора возможно, если в схеме создаются условия для увеличения тока базы за счет положительной обратной связи. Это означает, что цепь обратной связи должна обеспечить соотношение для токов транзистора, при котором

, (1.66)

где ток коллектора

i к = i б ·n б + i н ·n н, (1.67)

Если принять на этапе регенеративного процесса напряжение на коллекторной обмотке равным U к, то

,
(1.68)

В результате подстановки выражения (1.67) в (1.66) с учетом (1.68) находим условие, необходимое для развития прямого регенеративного (блокинг) процесса в схеме

, (1.69)

Регенеративный процесс опрокидывания длится до тех пор, пока действует положительная ОС и транзистор находится в активной области. В момент времени t 2 из-за уменьшения коллекторного напряжения U к и роста базового тока i б транзистор попадает в режим насыщения, при котором U к  0, U 1  Е к.

Формирование вершины импульса. При работе транзистора в режиме насыщения формируется вершина импульса (интервал времени t 2 -t 3). При этом к первичной обмотке трансформатора приложено практически все напряжение Е к, а в обмотках W б и W н индуцируются ЭДС, равные U б n б ·Е к и U н n н ·Е к. Токи i  и i к нарастают во времени, что видно из диаграммы (рис.1.32). Ток базы также изменяется во времени из-за зарядки конденсатора C:

i б (t) = i б (t 2)e -t/t , (1.70)

, (1.71)

r вхн  входное сопротивление насыщенного транзистора;

t=C·(R+r вхн)  постоянная времени зарядной цепи.

В выражении (1.71) не учтено активное сопротивление базовой обмотки трансформатора.

Через коллекторную обмотку и транзистор протекает ток (рис.1.31,б), равный сумме трех составляющих:

i к = i  + i б "+ i н ", (1.72)

где i  -- ток намагничивания, i б "=i б ·n б; i н "=Е к ·n н 2 /R н  приведенные к коллекторной обмотке токи базы и нагрузки.

Ток намагничивания i  создается под воздействием приложенного к коллекторной обмотке W к напряжения Е к и обусловлен перемещением рабочей точки по кривой намагничивания сердечника трансформатора из точки O" в направлении к точке M (рис.1.22). Характер изменения во времени тока i  зависит от вида кривой намагничивания и числа витков коллекторной обмотки (ее индуктивности L) и обычно близок к линейному закону. Для тока будет действительно уравнение L·di  /dt=Е к, откуда находим

,
, (1.73)

где t в - длительность вершины импульса.

Временные диаграммы изменения составляющих тока коллектора согласно выражения (1.72) показаны на рис.1.33.

Рис.1.33. Временные диаграммы изменения составляющих тока коллектора

С увеличением тока коллектора происходит рассасывание избыточных неосновных носителей заряда, накопленных в базе. С уменьшением тока базы этот заряд также уменьшается. В момент времени t 3 , когда выполняется условие

i к (t 3) = ·i б (t 3), (1.74)

транзистор выходит из режима насыщения в активную область и формирование вершины импульса заканчивается.

Длительность вершины выходного импульса блокинг-генератора можно найти из условия (1.74), которое с учетом выражений (1.70...1.73) принимает вид

, (1.75)

Для решения этого уравнения разложим экспоненту e -t/  в степенной ряд для t/ << 1:

, (1.76)

Ограничиваясь первыми двумя членами ряда (1.76) из (1.75), получаем выражение для длительности вершины импульса

, (1.77)

Обычно n б =1/3...1/6, тогда -n б  и формула (1.77) принимает вид

, (1.78)

Обратное опрокидывание и восстановление исходного состояния. В момент t 3 выхода транзистора в активную область вступает в действие положительная ОС и возникает регенеративный процесс обратного опрокидывания. При этом в течении процесса регенерации можно считать, что заряд конденсатора С остается постоянным и U c (t 3)=U c (t 4). Уменьшение тока i к приводит к уменьшению U б, а значит и тока базы i б. В итоге происходит дальнейшее уменьшение тока i к. Заряд, накопленный в базе, быстро рассасывается. Транзистор запирается, и токи i к и i б становятся равными I ко.

Из временной диаграммы тока базы (рис.1.32) видно, что во время обратного опрокидывания i б имеет обратное направление и значение его во много раз больше I ко. Это обусловлено наличием избыточного заряда в базе насыщенного транзистора, носители которой в момент изменения приложенного напряжения на обратное изменяют ток базы транзистора.

С момента времени t 4 начинается процесс восстановления исходного состояния, который связан с рассеиванием электромагнитной энергии, запасенной в сердечнике трансформатора, и с разрядом конденсатора C. Разряд конденсатора С происходит по цепи W б - R - R б - E б. Процесс восстановления заканчивается в момент времени, когда напряжение на конденсаторе достигнет установившегося значения U c (0).

Время восстановления можно находить из упрощенного выражения

t вос  (3...5)·С·(R + R б), (1.79)

Для перевода блокинг-генератора в автоколебательный режим на схему подают положительное напряжение смещения (рис.1.34,а).

Рис.1.34. Схема блокинг-генератора в автоколебательном режиме (а),

диаграмма изменения напряжения на базе транзистора (б).

Процессы, протекающие в автоколебательном режиме работы блокинг-генератора, аналогичны процессам в ждущем режиме. Начнем рассмотрение этого режима с момента запирания транзистора Т. В этот момент конденсатор С заряжен до некоторого максимального напряжения U см, минус которого приложен к базе транзистора (рис.1.34,б). Конденсатор разряжается через обмотку W б, резистор R б и источник смещения Е б. При этом напряжение на базе уменьшается стремясь к уровню:

U бэ () = Е б + I ко ·R б  Е б, (1.80)

В определенный момент времени это напряжение достигает значения U пор >0, при котором транзистор отпирается. Процесс формирования импульса повторяется. По окончании его конденсатор С снова оказывается заряженным до напряжения U см.

Длительность импульса определяется как и в ждущем режиме по выражению (1.78).

Длительность паузы

, (1.81)

где U см  n б ·Е к, R=0.

Тогда период автоколебаний T = t в + t п.

Электрическая схема блокинг генератора на одном транзисторе с описанием принципа работы для сборки своими руками. Транзистор может быть биполярным или полевым. Изобрели блокинг в ту пору, когда еще не было микросхем, но схема вызывает интерес до сих пор.

Блокинг генератор - автогенератор с сильной трансформаторной положительной обратной связью, предназначенный для генерирования кратковременных импульсов с большим отношением периода к длительности импульса, т.е. с большой скважностью импульсов. Частота блокинг генератора может составлять от нескольких Герц до сотен КГц.

Схема блокинг-генератора и временные диаграммы работы показана на вкладке (кликабельно). Обмотка связи подключена к переходу эмиттер-база транзистора VT последовательно через конденсатор С. При включении питания схемы небольшое нарастание коллекторного тока через обмотку связи вызывает появление и рост базового тока. Этот процесс лавинообразный и приводит к переходу транзистора в состояние насыщения.

Этим же током конденсатор заряжается, тем самым уменьшая напряжение база-эмиттер. При достижении равенства напряжения зарядки конденсатора напряжению на обмотке связи ток базы и соответственно ток коллектора резко спадают до нуля. В выходной обмотке формируется почти прямоугольный импульс напряжения.

Поскольку, с этого момента напряжение обратной связи почти нулевое, напряжение отрицательной полярности конденсатора С прикладывается к переходу база-эмиттер и переводит транзистор в состояние отсечки. Далее начинается процесс разряда конденсатора С экспоненциально через R от источника питания. При достижении напряжения открывания, начинается лавинообразный рост тока транзистора и формирование нового импульса, процесс становиться периодическим.

Транзистор может быть любым с достаточно высоким коэффициентом усиления. Трансформатор обычно наматывается на ферритовом кольце. Коллекторная обмотка содержит 30-50 витков провода. Обмотка связи 3-5 витков. Чем меньше размеры кольца и ниже планируемая частота генерации, тем больше требуется витков. Если используется полевой транзистор, обмотка связи содержит столько же витков сколько и возбуждающая обмотка, поскольку для управления ключевыми полевым транзистором требуется напряжение от 4 до 20 Вольт.

Транзистор генератора необходимо защитить от выбросов ОЭДС. Если транзистор полевой, достаточно поставить диод между затвором и плюсом источника питания. В таком варианте импульс на стоке будет срезаться на уровне напряжения ИП плюс падение на диоде (0,5 - 1 В). От перенапряжения на стоке полевые транзисторы обычно защищены встроенными диодами.

В простейшем случае можно обойтись без конденсатора. В таком варианте переключение блокинг генератора происходит при насыщении кольца. Упрощенная схема может быть использована при низковольтном питании и малых размерах кольца. КПД схемы достаточно низкий.

Частота блокинг генератора сильно зависит от питающего напряжения. В этой связи лучше использовать генераторы импульсов на микросхемах, тем более что не потребуется мотать обмотку связи. Блокинг имеет смысл использовать в случае когда напряжение источника питания не превышает нескольких вольт, например при питании от 1-3 батареек. Если использовать германиевый транзистор, возможна работы схемы при разрядке батареек до 0,5 В.

Введение

Электронная вычислительная техника - сравнительно молодое научно-техническое направление, но она оказывает самое революционизирующее воздействие на все области науки и техники, на все стороны жизни общества. Характерно постоянное развитие элементной базы ЭВМ, которая в настоящее время получила название схемотехники ЭВМ. Элементная база развивается очень быстро; появляются новые типы логических схем, модифицируются существующие. Существует множество различных логических ИС: логические элементы, регистры, сумматоры, АЛУ, дешифраторы, мультиплексоры, счетчики, делители частоты, триггеры, генераторы и усилители постоянного тока. Именно о них пойдет речь в данной работе.

Описание схемы устройства блокинг-генератора

Блокинг-генератор - это автоколебательная система, генерирующая кратковременные импульсы большой скважности. Схема блокинг-генератора представляет собой однокаскадный усилитель с глубокой обратной связью. Для обеспечения обратной связи используются импульсные трансформаторы.

Благодаря такой связи и высоким ключевым качествам транзистора блокинг-генератор, построенный даже на маломощном транзисторе, может генерировать мощные импульсы.

Импульсы блокинг-генератора обладают весьма короткими фронтами и могут иметь длительность от долей микросекунды до долей миллисекунды. Блокинг-генератор позволяет осуществлять трансформаторную связь с нагрузкой, что во многих случаях очень важно.

ОПИСАНИЕ СХЕМЫ

Рис.1.

В цепь коллектора включена обмотка трансформатора, осуществляющая обратную связь с цепью базы транзистора путем включения в эту цепь обмотки.

Кроме того в цепь базы включены конденсатор С и резистор смещения R 1 , величины которых определяют длительность рабочего импульса t u и период автоколебаний н включена с помощью специальной обмотки трансформатора. На базу транзистора подано отпирающее напряжение.

генератор автоколебательный режим электрический

Расчет схемы блокинг-генератора

Электрический расчет

Выбираем тип транзистора, исходя из условий быстродействия и надежности.

а) Для обеспечения малых длительностей фронта и спада выходного импульса необходимо, чтобы:

При выполнении этого условия величины получаются порядка нескольких.

б) Допустимое напряжение на коллекторе транзистора U кб. доп должно удовлетворять соотношению U кб. доп? (E к + ? U кm) (1 + n б). Обычно значение n б лежит в пределах 0,1 - 0,7.

Так как выброс сильно искажает форму выходного сигнала блокинг-генератора, то амплитуда выброса, как правило, не должна превышать 10-30% от амплитуды коллекторного напряжения:

U к = U" вых = U вых / n u, т.е. ? U кm = (0,1 0,3) U к

Напряжение питания выбираем, исходя из равенства E к = (1,1 1,2) U вых / n и = 25 В.

Положим n н = 1. Тогда U кб. доп = (1,2 U вых + 0,3 U вых) 1,7 = 51 В. Исходя из полученных значений f б и U кб. доп, выбираем транзистор типа КТ803А , для которого I кбо <= 50 мА, f б = 10 МГц, U кб. доп <= 60 В, I к. доп = 5 А, C к <= 250 пФ. Определим оптимальное значение коэффициента трансформации n б = 0,4 из формулы:

Длительность фронтов найдем по формуле:

Определяем сопротивление резистора R, приняв по внимание следующее:

а) Во время формирования импульса цепь резистора R должна мало влиять на ток в базовой цепи транзистора. Для этого необходимо, чтобы R >> r" б.

б) Протекание обратного тока закрытого транзистора через резистор R не должно создавать заметного падения напряжения, т.е. R << E б / (10 I КБO max).

Положив E б = 1 В, найдем, что величина R = 3 кОм удовлетворяет обоим условиям. При заданной скважности находим требуемую длительность паузы:

Проверим условие E б >> I КБ0max R и положив?U кт << E б, определяем емкость конденсатора C из формулы:

Тогда, подключив добавочный резистор с сопротивлением R д = 200 Ом, можно по формуле определить индуктивность трансформатора, необходимую для формирования импульса длительностью 1 мкс:

Проверим условие отсутствия влияния нагрузки на длительность импульса по формуле:

Таким образом, нагрузка мало влияет на длительность импульса.

Процесс формирования выброса импульса блокинг-генератора будет апериодическим, если выполняется условие

Определив С 0 = 20 пФ на основании формулы:

убедимся, что условие выполняется при данных значениях L и С 0, т. е выброс апериодически спадает до нуля. Амплитуда выброса, согласно формуле будет равняться:

Длительность выброса

Для транзистора КТ803А такая амплитуда выброса недопустима, так как:

Следовательно, необходима цепь из диода Д ш и резистора R ш, уменьшающая амплитуду выброса до значения:

Вычислим допустимую амплитуду обратного выброса:

Максимальное сопротивление шунтирующего резистора найдем из формулы:

откуда R ш max = 0,75 кОм.

Выбранный тип диода Д ш должен удовлетворять условиям:

I д max = I м max = < I д. доп,

| U д. доп | > | E к |.

Выбираем диод типа Д9Г.

Выбор и обоснование элементной базы

На основании приведенного выше расчета выбираем элементы (для схемы электрической принципиальной):

В качестве транзистора VТ1 был взят высокочастотный биполярный транзистор КТ803A , со следующими характеристиками:

· Структура: n-p-n;

· Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц;

· Статический коэффициент передачи тока: 10-70;

· Начальный ток коллектора не более: 5 мА;

· Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 80 В;

· Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

· Максимально допустима рассеивающая мощность коллектора: 60 Вт.

В соответствии с рассчитанной емкостью схемы, подбираем следующий конденсатор:

С 1 = К10-17-2-25 В-160 пФ5%,

удовлетворяющий нашим требованиям и расчетам.

В соответствии с рассчитанными номиналами резисторов имеем:

R 1 = 2 кОм: МЛТ-0,125-2кОм2%;

R 2 = 1 кОм: МЛТ-0,5-1кОм2%;

R 3 = 16 кОм: МЛТ-0,125-16кОм2%;

В соответствии с рассчитанным номиналом резистора нагрузки, в качестве диода VD1 выбираем диод:

VD1 = Д9Г ГОСТ 14342-75.

В статье Вам будут предложены , но, для начала, немного теории.
Есть один распространенный тип генераторов, в котором всеми событиями управляет заряд - разряд конденсатора. Это блокинг-генератор , его упрощенная схема показана на рисунке. Знакомство с работой блокинг-генератора начнем с того момента, когда включено питающее напряжение и в коллекторной цепи появился ток. Нарастающий коллекторный ток сразу через трансформатор наведет напряжение в базовой цепи. Причем напряжение такой полярности (это зависит от того, как включена обмотка II), которая способствует еще большему открыванию транзистора. Транзистор открывается лавинообразно до полного насыщения (напряжение на нагрузке максимально, на самом коллекторе около нуля), а ток положительной обратной связи заряжает конденсатор Сд и при этом поддерживает транзистор в открытом состоянии. Но после того, как этот конденсатор полностью зарядится до напряжения на обмотке U ц, ток через него прекратится и транзистор скачком закроется постоянным напряжением на конденсаторе, которое имеет положительную полярность относительно базы. Теперь напряжение Uс на конденсаторе Сg начинает постепенно уменьшаться, он разряжается через резистор Re. И вот наступает такой момент, когда конденсатор уже не может противодействовать «минусу», поступающему на базу через Rq: транзистор мгновенно открывается, в коллекторной цепи появляется ток и все начинается сначала - опять рывок коллекторного тока, опять заряд конденсатора, опять он закрывает транзистор, постепенный разряд конденсатора и в какой-то момент снова открывание транзистора и очередной рывок коллекторного тока…

Так в блокинг-генераторе транзистор, разумеется с помощью трансформатора и разрядной RС-цепочки, периодически сам себя открывает и закрывает, генерирует меняющееся напряжение. Частота этого напряжения зависит от того, сколько времени проходит от одного отпирания транзистора до следующего, а значит, главным образом зависит от постоянной времени разрядной цепи, от сопротивления Rq и емкости С б. Чем они больше, тем медленнее идет процесс разряда, тем ниже частота.

5. Блокинг-генератор . Частоту его сигнала можно менять, изменяя Rl или С1. На основе этого генератора можно сделать простейший электромузыкальный инструмент или индикатор сопротивления. Так, например, если с помощью двух электродов включить вместо R1 некоторый объем воды, то звуковой тон будет меняться в зависимости от уровня воды или, например, ее солености. В качестве Tp 1 можно взять БТК (блокинг-трансформатор кадровый) от любого телевизора. Выходное сопротивление такого генератора велико, его нужно подключать к каскаду с большим входным сопротивлением.

:: Помощь

Принцип работы блокинг генератора

При включении питания транзистор приоткрывается за счет тока смещения через резистор R1. Так как напряжение к трансформатору не было приложено до этого, ток через обмотки не течет (ток через катушку индуктивности не может моментально измениться, через нагрузку также сразу не может возникнуть ток, так как всегда существует некоторая индуктивность связи или утечки). Так что на обмотке 2 сразу формируется все напряжение питания. Следовательно, на обмотке 1 возникает напряжение, определенное соотношением числа витков обмоток 2 и 1. Возникает дополнительный ток в цепи базы, достаточный для насыщения транзистора.

В таком состоянии схема пребывает, пока напряжение на конденсаторе не достигнет такого значения, что ток через резистор R2, зависящий от разницы напряжения на обмотке 1 и напряжения на конденсаторе, станет меньше, чем необходимо для насыщения транзистора. Транзистор начинает закрываться. Напряжение на обмотке 2, а значит, на обмотке 1, меняет полярность. К базовому переходу транзистора теперь прилагается запирающее напряжение, равное падению напряжения на открытом диоде VD1. Транзистор полностью закрывается.

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости , чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи. сообщений.

Еще статьи

Практика проектирования электронных схем. Самоучитель электроники....
Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы....

Генератор сигнала с переменной скважностью импульсов. Регулировка коэф...
Схема генератора и регулируемым коэффициентом заполнения импульсов, управляемого...

Бесперебойник своими руками. ИБП, UPS сделать самому. Синус, синусоида...
Как сделать бесперебойник самому? Чисто синусоидальное напряжение на выходе, при...

Плавная регулировка, изменение яркости свечения светодиодов. Регулятор...
Плавное управление яркостью свечения светодиодов. Схема устройства с питанием ка...

Резонансный инвертор, преобразователь напряжения повышающий. Схема, ко...
Инвертор 12/24 в 300. Резонансная схема....

Ключевой режим полевого транзистора (FET, MOSFET, МОП). Мощный, силово...
Применение полевого транзистора в качестве ключа....

Детектор, датчик, обнаружитель скрытой проводки, разрывов, обрывов. Сх...
Схема прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов для самостоятельног...

Дроссель, катушка индуктивности. Принцип работы. Математическая модель...
Катушка индуктивности, дроссель в электронных схемах. Принцип работы. Применение...